碳化硅单晶粉末导热
碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展
本综述对SiC的晶体结构、导热机理和影响其导热性的多型体、二次相、晶体尺寸、孔隙率、温度等因素进行了分析，并讨论了SiC掺杂对导热性能的影响；总结了SiC作为导热材料 单晶热导率的研究主要是沿c轴晶向或者垂直于c轴的某一晶向进行的,无法有效地解释热导率的各向异 性。 本文研究了4H-SiC和6H-SiC单晶,,三个不同 杂质和缺陷对 SiC 单晶导热性能的影响 - Researching碳化硅单晶具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好[1]等优点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照半导体器件及紫外探测器和 碳化硅材料热导率计算研究进展
碳化硅(SiC)作为导热材料的应用前景 - 技术科普 - 新闻 ...
2023年6月6日 因此SiC材料的导热率主要取决于： （1）烧结助剂的数量、化学计量比、化学性质以及相关的晶界厚度和结晶度； （2）晶粒尺寸； （3）SiC 晶体中杂质原子的类 本文主要分析了温度、气孔、晶体结构和第二相对SiC陶瓷导热性能的影响，归纳了热压烧结法、放电等离子烧结法、无压烧结法、重结晶烧结法和反应烧结法制备高导热SiC陶瓷的 碳化硅陶瓷导热性能的研究进展碳化硅、 化学式为 sic，是一种具有高导热性的耐高温材料。 它是由石英砂、石油焦（或煤焦）和木屑等原材料通过电阻炉在高温下熔炼而成。 2.什么是导热性？碳化硅导热性简介 - 亚菲特
高导热碳化硅陶瓷的研究进展 - 机械工程材料
碳化硅陶瓷内部存在的晶格氧、晶界、气孔等缺陷导致其室温热导率远低于碳化硅单晶理论室温热导率。 综述了添加剂、烧结工艺等因素对碳化硅陶瓷室温热导率的影响，并对高导 碳化硅材料热导率计算研究进展. 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理.综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法.Boltzmann-弛豫时间近似 (RTA)适用 碳化硅材料热导率计算研究进展 - 百度学术碳化硅陶瓷内部存在的晶格氧、晶界、气孔等缺陷导致其室温热导率远低于碳化硅 单晶理论室温热导率。 综述了添加剂、烧结工艺等因素对碳化硅陶瓷室温热导率的影响,并对高导高导热碳化硅陶瓷的研究进展 - cmes
